"3D DRAM: Прогресс и перспективы на примере SK Hynix"

Согласно сообщению корейского издания Business Korea, компания SK Hynix недавно поделилась своими последними достижениями в области 3D DRAM на выставке VLSI 2024 на прошлой неделе. Компания объявила, что производственный выход её 5-слойной многослойной 3D DRAM достиг 56,1%. Это означает, что из примерно 1000 модулей 3D DRAM, изготовленных на одной тестовой пластине, было успешно изготовлено около 561 функционального устройства.

Экспериментальная 3D DRAM демонстрирует характеристики, аналогичные используемой в настоящее время 2D DRAM. Таким образом, SK Hynix впервые раскрыла конкретные цифры и характеристики своей разработки 3D DRAM. Однако компания также отметила, что, несмотря на большой потенциал 3D DRAM, перед её коммерциализацией требуется ещё значительная разработка.

SK Hynix подчеркнула, что в отличие от стабильной работы 2D DRAM, 3D DRAM демонстрирует нестабильные характеристики производительности. Для широкого использования требуется объединение от 32 до 192 слоёв ячеек памяти.

3D DRAM является ключевой областью разработки и для других ведущих производителей памяти, таких как Samsung Electronics и Micron. Samsung Electronics уже успешно объединила 3D DRAM в 16 слоёв и планирует начать массовое производство 3D DRAM примерно к 2030 году.

Micron в настоящее время владеет 30 патентами, связанными с 3D DRAM. Если произойдёт прорыв в технологии 3D DRAM, компания сможет производить более качественные продукты DRAM, чем существующие, без необходимости использования оборудования EUV.

Рынок DRAM остаётся высококонцентрированным, на нём доминируют такие ключевые игроки, как Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology, которые вместе владеют более 96% всей доли рынка