06/24/2024 10:25:57
18 июня бельгийский исследовательский центр микроэлектроники IMEC представил первое устройство CMOS CFET с расположенными друг над другом нижними и верхними контактами истока/стока на симпозиуме IEEE VLSI Technology and Circuits 2024 (2024 VLSI). Результаты были достигнуты с использованием методов фронтальной литографии для обоих контактов. IMEC также продемонстрировала возможность переноса нижних контактов на обратную сторону пластины, что потенциально увеличивает выживаемость верхних устройств с 11% до 79%.
Согласно дорожной карте логических технологий IMEC, технология дополнительных полевых транзисторов (CFET) будет внедрена в архитектуры устройств на узле A7. Это позволит уменьшить стандартную высоту элемента с 5T до 4T или даже ниже без ущерба для производительности.
На симпозиуме VLSI 2024 IMEC впервые продемонстрировала функциональное монолитное устройство CMOS CFET как с верхними, так и с нижними контактами. Устройство имеет длину затвора 18 нм, шаг затвора 60 нм и вертикальное расстояние 50 нм между n-типом и p-типом.
Технологическая схема, предложенная IMEC, включает в себя два модуля, ориентированных на CFET: среднюю диэлектрическую изоляцию (MDI) и расположенные друг над другом нижние и верхние контакты. MDI — это модуль, впервые разработанный IMEC для изоляции верхних и нижних затворов и различения настроек порогового напряжения между n-типом и устройствами р-типа. Модуль MDI обеспечивает совместную интеграцию внутренних прокладок, изолируя затвор от истока/стока.
Инновационная технология травления выемки истока/стока с "закрытием на месте" позволяет применять MDI в первую очередь, защищая твердую маску затвора/прокладку затвора во время выемки истока/стока.
Ключевые этапы формирования сложенных друг на друга нижних и верхних контактов истока/стока включают заполнение и травление металла нижнего контакта с последующим заполнением и травлением диэлектрика. Все эти процессы выполняются в ограниченном пространстве пакета MDI.
Несмотря на дополнительные процессы, такие как соединение пластин и утонение, эта конструкция оказалась осуществимой, делая структуру контакта с задней и нижней стороной привлекательным вариантом для отрасли.
В последнем отчете TrendForce о тенденциях спотовых цен на память зафиксированы важные изменения в динамике цен на продукты DRAM и NAND. Аналитики отмечают замедление темпов снижения цен, что обусловлено стратегией производителей по сокращению запасов и пониманием того, что дальнейшее снижение цен может не стимулировать покупательскую активность....
В преддверии предстоящего отчета о доходах NVIDIA ходили слухи о том, что процессоры Blackwell для искусственного интеллекта сталкиваются с проблемами перегрева при установке в серверные стойки большой емкости. Генеральный директор Dell Майкл Делл вскоре опубликовал в социальных сетях фотографию, демонстрирующую первую поставку сервера GB200 по всему миру, что эффективно развеяло опасения по поводу возможных задержек....
На современном мировом рынке карбида кремния (SiC) 8-дюймовые пластины стали одной из самых горячих тем. Аналитическая компания TrendForce утверждает, что, несмотря на увеличение затрат на обработку при переходе с 6-дюймовых на 8-дюймовые подложки SiC...
Solidigm, дочерняя компания южнокорейского гиганта памяти SK hynix, объявила о выпуске нового корпоративного твердотельного накопителя (SSD) емкостью 122 терабайта (ТБ), предназначенного для центров обработки данных с искусственным интеллектом....
Согласно отчету MoneyDJ со ссылкой на Android Police, производительность процесса N3E TSMC, по слухам, достигнет 90%, а Samsung Electronics может передать TSMC производство процессоров Exynos на аутсорсинг....
В мире высоких технологий и вычислительной мощности постоянно происходят изменения, и последние разработки от HPE и Cray демонстрируют, насколько далеко продвинулись современные технологии. В преддверии конференции Super Computing в Атланте компания HPE представила свою новую систему EX154n, которая обещает стать настоящим прорывом в сфере высокопроизводительных вычислений (HPC), а также искусственного интеллекта (ИИ) и машинного обучения (ML)....
*Realme, известный производитель смартфонов, анонсировал новый бюджетный смартфон Realme Note 60x. Это устройство, которое отличается от Realme Narzo 60x, предназначено для тех, кто ищет основные функции по доступной цене. Недавно оно получило сертификаты от Европейского Союза (ЕС), Федеральной комиссии по связи США (FCC) и Национальной комиссии по телерадиовещанию Таиланда (NBTC).
ZTE Corporation объявила о выпуске нового смартфона Nubia V70 Design, который также будет доступен под названием ZTE Blade V70 Design в некоторых регионах. Предварительные заказы на это устройство уже открыты на Филиппинах, а официальный запуск запланирован на 28 ноября.
Huawei готовится представить свой новый складной флагман, Mate X6, который запланирован к выпуску 26 ноября. Устройство уже доступно для предварительной регистрации на платформе Vmall, где пользователи могут ознакомиться с подробностями о новинке.
Здесь вы найдете самые свежие и актуальные новости из мира компьютерных технологий. Мы следим за всеми новинками и тенденциями в этой области, чтобы вы всегда были в курсе последних событий.
Наш раздел "Новости мобильной индустрии" поможет вам быть в курсе всех новинок и инноваций в мире мобильных устройств. Мы расскажем о новых моделях смартфонов, планшетов и других гаджетов, а также о новых функциях и технологиях, которые делают нашу жизнь проще и удобнее.
Если вы увлекаетесь играми, то раздел "Новости игровой индустрии" для вас. Мы следим за всеми новинками и трендами в мире игр, чтобы вы всегда были в курсе последних релизов, обновлений и новостей игровых компаний.
Наш сайт обновляется ежедневно, чтобы вы всегда были в курсе последних событий в мире компьютерных, мобильных и игровых технологий. Мы стараемся предоставлять вам только самую актуальную и достоверную информацию, чтобы вы могли принимать информированные решения при выборе новых устройств или игр.
Присоединяйтесь к нам и будьте в курсе всех новинок и тенденций в мире компьютерных, мобильных и игровых технологий!.
Контакты
