Новости Компютерных технологий

В последние годы Samsung укрепил свои позиции на мировом рынке полупроводников, особенно в области высокопроизводительной памяти. Ожидания по поводу выхода нового поколения HBM3E достигли своего пика после недавних успехов компании в разработке и тестировании этой технологии. Генеральный директор NVIDIA Дженсен Хуанг выразил уверенность в возможностях HBM3E, который будет использоваться в новейших продуктах линейки Blackwell Ultra. Корейский гигант памяти Samsung уже показал значительные успехи, предоставляя Broadcom свою 8-слойную версию HBM3E. 

Этот шаг подчеркивает стремление Samsung расширить своё присутствие на рынке передовых технологий. По данным аналитического агентства Sedaily, Samsung успешно завершил квалификационное тестирование HBM3E для Broadcom, показав высокие результаты по скорости передачи данных и выполнению требований к цепочке поставок. Эти достижения делают Samsung важным игроком в отрасли, поскольку ранее он поставлял HBM только в ограниченном объеме и не всегда использовался Broadcom. 

Однако теперь, после признания HBM3E, ситуация может измениться.  Samsung начал обсуждение использования HBM с AMD, что добавляет новый уровень конкуренции на рынке. В отличие от SK Hynix и Micron, которые ориентированы на выпуск 12-слотовых решений HBM3E, Samsung планирует предложить более широкий спектр продуктов, включая версии с меньшим количеством слоев. 

SK Hynix и Micron активно развивают собственные предложения в области HBM3E, предлагая различные конфигурации для различных приложений. SK Hynix, например, поставил первые 12-слойные образцы HBM4 в мире, что демонстрирует их амбиции на этом рынке. 

Компания планирует начать массовое производство этой памяти во второй половине 2025 года. Несмотря на все эти успехи, Samsung всё ещё сталкивается с серьёзной конкуренцией со стороны других ведущих производителей памяти. Это создает здоровую рыночную среду, где каждый игрок стремится занять лидирующие позиции в инновационных технологиях.